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            • [公司新聞] 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

              半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
              發布時間:2020-03-04   點擊次數:350

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