好品質 
好材料 
好服務
好品質 好材料 好服務
丹東新東方晶體儀器有限公司
聯系人：張經理
電 話：0415-6172363 13304155299
傳 真：0415-6181014
郵 箱：xdf@ddxdf.com
網 址：www.callosumcreative.com
地 址：遼寧丹東環保產業園區A-050號
郵 編：118000
SiC晶體結構具有同質多型的特點，其基本結構是Si-C四面體結構，它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成，按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍，屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數，而晶格常數c不同，并由此構成了數目很多的SiC同質多型體。若把這些多型體看作是由六方密堆積的Si層組成，緊靠著Si原子有一層碳原子存在，在密排面上Si-C雙原子層有三種不同的堆垛位置，稱為A、B和C。由于Si-C雙原子層的堆垛順序不同，就會形成不同結構的SiC晶體。如圖5所示：ABC…堆積形成3C-SiC結構;ABAC…堆積形成4H-SiC結構;ABCACB…堆積形成6H-SiC結構。這些晶型屬于三種基本的結晶學類型：立方(C)、六方(H)和菱形(R)，目前已被證實的SiC多形體已超過200種，其中較為常見的有3C、4H、6H和15R等。
這些多型的SiC晶體雖然具有相同的化學成分，但是它們的物理性質，尤其是帶隙、載流子遷移率、擊穿電壓等半導體特性有很大的差別。目前，4H-SiC應用較廣，廣泛應用于單晶定向電力電子器件和微波功率器件。
