<dfn id="bfff9"></dfn>

        <ruby id="bfff9"><mark id="bfff9"><thead id="bfff9"></thead></mark></ruby>

          <p id="bfff9"></p>

            歡迎訪問丹東新東方晶體儀器有限公司官網!

            熱門搜索:藍寶石晶體定向單晶定向單晶材料

            icon1.png好品質            icon2.png好材料            icon3.png好服務

            新聞分類

            產品分類

            聯系我們

            丹東新東方晶體儀器有限公司

            聯系人:張經理

            電 話:0415-6172363   13304155299

            傳 真:0415-6181014

            郵 箱:xdf@ddxdf.com

            網 址:www.callosumcreative.com

            地 址:遼寧丹東環保產業園區A-050號

            郵 編:118000

            化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

            您的當前位置: 首 頁 >> 新聞中心 >> 技術中心

            化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

            發布日期:2019-12-09 00:00 來源:http://www.callosumcreative.com 點擊:

            從實驗可知,用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好,得到的腐蝕圖像清晰、準確。且Z佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。

            影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來,單晶材料晶體生長速率是各向異性的。

            通常所說的單晶材料晶體生長速率指的是在單位時間晶面沿法線方向向外平行推移的距離,稱為線性生長速率。晶體生長的驅動力來源于生長環境相的過飽和度或過冷度。人工生長單晶時,在保證晶體生長質量的前提下,總希望提高生長速率。由于微觀生長速率的變化,往往導致晶體缺陷的產生。

            為保證CZ法能穩定地生長晶體,熱場設計必須要具有適當的縱向和徑向溫度梯度和適當的坩堝與晶體直徑比例,即保證適當的過冷度條件。只要存在徑向溫度梯度和縱向溫度梯度,熔體內就會出現熱運動,造成固液界面處晶體存在著熱應力,超過晶體材料的臨界應力,在晶體中就會產生位錯。


            單晶材料哪家好

            相關標簽:單晶材料

            Z近瀏覽:

            熱推產品  |  主營區域: 北京 上海 廣州 深圳 天津 重慶 南京 沈陽 丹東
            在線客服
            分享