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            硅單晶定向實際生產中晶體中氧濃度參數調整

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            硅單晶定向實際生產中晶體中氧濃度參數調整

            發布日期:2019-10-28 00:00 來源:http://www.callosumcreative.com 點擊:

            硅單晶的實際生產中,就晶體中氧濃度而言有人建議采用數種方法,以處理生長期間晶體固化速率或生長長度的問題,所述方法包括對坩堝旋轉速度、爐內壓力、大氣流速、靜磁場應用或其數個參數(以下稱作操作參數)組合的調整。

            可通過調整操作參數來調整晶體內的氧濃度。為達成此目的,晶體需上拉多次才能得到晶體內氧濃度的數據與操作參數各種變化結果之間的關系,并且需要確定晶體生長期間對操作參數的調整步驟。但是,如果晶體的質量標準改變、晶體生長爐更換、爐內諸如絕緣及加熱器等組件改變、原料熔融量增加,即使無前述的情形,如果爐體老化或由于爐件退化而加熱環境改變所引起爐內溫度環境改變,那么對元件退化、產品變質因素而言,令人惱火的操作參數的調整運作仍需重復數次。

            另外,硅單晶由8英寸擴增至12英寸大小涉及爐體的按比例擴增,因而導致成本及為調整硅單晶內氧濃度所需上拉晶體的次數指數級增加。因此,傳統的嘗試及誤差法對新質量標準及操作環境的變化所產生的適應性及應用性均非常差。


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