高溫溶液法制備單晶材料工藝流程

單晶是由單個晶體構成的材料，單晶在自然界存在，如金剛石晶體等，也可由人工制成，如鍺和硅單晶等。單晶是由一個晶核長成的，其所有晶胞均呈相同的位向，因而具有各向異性。

單晶材料的制備有以上熔體法、常溫溶液法、高溫溶液法、氣相法等方法，而不同的特備方法下晶體額生長方法也不一樣，目前已經發展出多種生長晶體的方法，具體工藝流程如下：

該方法適宜于以下幾種單晶材料材料的制備：

(1)高熔點材料；

(2)低溫下存在相變的材料；

(3)組分中存在高蒸氣壓的成分。

單晶材料

緩冷法是在高溫下，在晶體材料全部熔融于助熔劑中之后，緩慢地降溫，使晶體從飽和熔體中自發成核并逐漸成長的方法。此法所使用的設備簡單，價廉，因而應用廣泛。

水熱法又稱高壓溶液法，是利用高溫高壓的水溶液使那些在大氣條件下不溶或難溶于水的物質通過溶解或反應生成該物質的溶解產物，并達到一定的過飽和度而進行結晶和生長的方法。

水熱法生長過程的特點：過程是在壓力與氣氛可以控制的封閉系統中進行的；生長溫度比熔融法和熔鹽法低很多；生長區基本處于恒溫和等濃度狀態，溫度梯度??；屬于稀薄相生長，溶液黏度低。

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