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丹東新東方晶體儀器有限公司
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所謂氣相法生長晶體，就是將擬生長的晶體材料通過升華、蒸發、分解等過程轉化為氣相，然后通過適當條件下使它成為飽和蒸氣，經冷凝結晶而生長成晶體。
氣相法晶體生長的特點是：
1. 生長的晶體純度高；
2. 生長的晶體完整性好；
3. 晶體生長速度慢；
4. 有一系列難以控制的因素，如溫度梯度、過飽和比、攜帶氣體的流速等。
目前，氣相法主要用于晶須生長和外延薄膜的生長（同質外延和異質外延），而生長大尺寸的塊狀晶體有其不利之處。
氣相法主要可以分為兩種：
物理氣相沉積（Physical VaporDeposition, PVD）：用物理凝聚的方法將多晶原料經過氣相轉化為單晶體，如升華-凝結法、分子束外延法和陰極濺射法；
化學氣相沉積（ChemicalVapor Deposition,CVD）：通過化學過程將多晶原料經過氣相轉化為單晶體，如化學傳輸法、氣體分解法、氣體合成法和MOCVD法等。
