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            單晶材料晶體生長是發生在什么情況

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            單晶材料晶體生長是發生在什么情況

            發布日期:2018-06-07 00:00 來源:http://www.callosumcreative.com 點擊:

              晶體生長是發生在固-液界面上。通常為保證晶體粒生長只需使固-液界面附近很小區域熔體處于過冷態,絕大部分熔體處于過熱態。已生長出的晶體溫度又需低于Te。就是說整個體系由熔體到晶體的溫度由過熱向過冷變化。過熱與過冷區的界面為等溫區。此面與晶體生長界面間的熔體為過冷熔體。且過冷度沿晶體生長反方向逐漸增大。晶體的溫度低。這種由晶體到熔體方向存在的溫度梯度是熱量輸運的須要條件。熱量由熔體經生長面傳向晶體,并由其轉出。

              單晶材料是一種寬禁帶直接帶隙半導體ZnO晶體為纖鋅礦結構室溫下禁帶寬度為3.37eV激子束縛能為60meV遠大于室溫熱離化能26meV。ZnO具有良好的光學性能成為了研究光電器件的熱點材料例如氣體傳感器壓電傳感器透明電極短波長激光器件紫外發光二極管、透明三極管等。

              單晶材料和坩堝的提升采用雙電機結構,保證穩定的低生長速度以及坩堝和籽晶的快速定位。 采用無振動的高性能馬達和低噪聲的減速器驅動晶體和坩堝上升,可提供穩定的低生長速度。設備的真空條件和在真空下的可控惰性氣體氣流使得熱區清洗佳化。氧化硅可以在不污染晶體和晶體驅動裝置的條件下排除。

              單晶電池和多晶電池的初始原材料都是原生多晶硅,類似于微晶狀態存在。要具備發電能力,就須將微晶狀態的硅制成晶體硅,而晶體硅的晶向需要確定控制。單晶電池和多晶電池在制程上無法輕易互換的就是晶體生長環節。


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