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            單晶材料VS多晶硅片性能對比

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            單晶材料VS多晶硅片性能對比

            發布日期:2016-10-31 00:00 來源:http://www.callosumcreative.com 點擊:

                    單晶材料與多晶硅片在晶體品質、電學性能、機械性能方面有顯著差異。單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面,單晶是直拉提升法,多晶是鑄錠方法,后端制造工藝只有一些細微差別。


                    從光電轉換效率參數來看,單晶電池的各項參數先于多晶,詳見表1。一般來講目前工藝下國內單晶電池量產效率是19.55%左右,做得好的話可以達到19.8%-19.9%,取決于它是三柵線還是四柵線;多晶電池量產效率一般是18.12%左右。


                    單晶制絨采用堿溶液腐蝕,腐蝕過程中產生硅酸鹽和氫氣副產物,通過應用制絨輔助液代替或部分代替異丙醇(IPA),可實現更低的BOD、COD污水排放,且單晶制絨體系對于設備硬件的要求很低,更容易實現環保和工藝控制。


                    多晶采用酸溶液腐蝕,需要使用高濃度的硝酸和氫氟酸,主要副產物為氟硅酸和NOx,而Nox是一種很難徹底處理的大氣污染物,考慮到這些因素,需要使用嚴格封閉的自動化設備。多晶制絨的設備購置和維護成本遠高于單晶。


                    單晶材料沒有晶界,材料純度高,內阻小,溫度升幅較小;另一方面,多晶電池的光電轉換效率較低,它將更多的光能轉換為熱能而非電能,也導致多晶的溫度升高更明顯。在高光強下,單晶工作溫度比多晶低5~6℃左右,部分地區的多晶工作溫度可以比單晶高出10℃以上,因而多晶的功率損失較大,單晶的功率損失較小。



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